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    CVD化學(xué)氣相沉積裝置由升華室、反應(yīng)室、氣路系統(tǒng)、和真空系統(tǒng)組成，采用智能化程序控溫系統(tǒng)，可控硅控制，控溫精度高；內(nèi)置多個(gè)溫區(qū)，可以營造不同的溫度梯度。用于高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結(jié)、氣氛還原、CVD實(shí)驗(yàn)、真空退火等。

1、升華室主要包括有不銹鋼容器，不銹鋼高溫閥、壓力表、電熱合金絲發(fā)熱體、質(zhì)子流量計(jì)、熱電偶、溫控裝置和保溫系統(tǒng)。主要用于對前驅(qū)體的加熱升華和調(diào)控通入反應(yīng)室的氣體流量, 控溫溫度可以在100-700℃之間自由設(shè)定，由K分度號熱電偶+精密數(shù)顯程序控溫儀實(shí)現(xiàn)升華室溫度的自動程序升降，控溫精度：±1℃，升華室配置數(shù)量為2個(gè)。

2、反應(yīng)室主要包括不銹鋼容器、壓力表、質(zhì)子流量計(jì)、電熱合金絲發(fā)熱體、熱電偶、溫控系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、保溫系統(tǒng)、載物臺。控溫溫度可以在100-900℃之間自由設(shè)定，由K分度號熱電偶+精密數(shù)顯程序控溫儀實(shí)現(xiàn)反應(yīng)室溫度的自動程序升降，控溫精度：±1℃，反應(yīng)室配置數(shù)量為1個(gè)。

3、氣路系統(tǒng)采用∮6×1mm，316L材質(zhì)不銹鋼管實(shí)現(xiàn)氣體的運(yùn)輸、氣體流量的精確控制、減壓閥的準(zhǔn)確快速切換以及廢氣的處理。在氣體運(yùn)輸過程中，需要對管道進(jìn)行加熱保溫處理，防止混合氣體在運(yùn)輸過程中發(fā)生冷凝，加熱系統(tǒng)由K分度號熱電偶+智能數(shù)顯控溫儀+電熱合金絲發(fā)熱體實(shí)現(xiàn)氣路管道的溫度控制，控溫精度：±1℃。

4、真空系統(tǒng)主要用于控制反應(yīng)室內(nèi)壓強(qiáng)，保證化學(xué)氣相沉積反應(yīng)能在預(yù)定的壓強(qiáng)下進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，真空度：10Pa。

CVD化學(xué)氣相沉積

化學(xué)氣相沉積反應(yīng)裝置

CVD管式爐